SamsungMZ-7KE256BW
Marca: Samsung
P/N: MZ-7KE256BW
EAN: 0012302569109
Disponibilidad: Disponible

171,59 ¤

*IVA y CANON Incluido

Arquitectura 3D V-NAND
Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético.

Máxima velocidad con RAPID mode
Incrementa el rendimiento cuando lo necesites con el modo Rapid. El software Magician de tu unidad SSD te ofrece un rendimiento hasta 1,8 superior al procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre de tu ordenador como memoria caché.

Trabaja por más tiempo
Trabaja en tu portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 PRO es un 30% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior, y un 93% más que las memorias convencionales DDR2 y DDR3.

  • Aplicación Cliente PCs
  • Capacidad 256 GB
  • Formato 2,5"
  • Interfaz: Interfaz SATA 6 Gb/s, compatible con interfaz SATA 3 Gb/s & SATA 1,5 Gb/s
  • Dimensiones 100 x 69,85 x 6,8 mm
  • Peso Max 66 g
  • Memoria de almacenamiento Samsung 32 layer 3D V-NAND
  • Controller Samsung 3-core MEX
  • Memoria caché Samsung 512 MB Low Power DDR2 SDRAM
  • Características especiales
  • Soporte TRIM
  • Soporte S.M.A.R.T
  • GC (Garbage Collection): Algoritmo Auto Garbage Collection
  • Encriptación: Encriptación AES 256 bit (Class 0), TCG / Opal, IEEE1667
  • WWN: World Wide Name soportado
  • Soporte Modo Suspensión en dispositivo
  • Rendimiento
  • Lectura secuencial Lectura secuencial de hasta 550 MB/seg * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración
  • Escritura secuencial Escritura secuencial de hasta 520 MB/seg * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración
  • Lectura aleatoria (4KB, QD32) Lectura aleatoria de hasta 100.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración
  • Escritura aleatoria (4KB, QD32) Escritura aleatoria de hasta 90.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración
  • Lectura aleatoria (4KB, QD1) Lectura aleatoria de hasta 10.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración
  • Escritura aleatoria (4KB, QD1) Escritura aleatoria de hasta 36.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración
  • Entorno
  • Consumo energético medio 2,9 Watts *Máximo: 3,5 Watts (Burst mode) * El consumo puede variar en base al hardware y a la configuración
  • Consumo energético (Idle) 0,3 Watts * El consumo puede variar en base al hardware y a la configuración
  • Voltaje soportado 5 V ± 5%
  • Durabilidad (MTBF) 2 millones de horas (MTBF)
  • Temperatura 0 - 70 °C
  • Golpes 1.500 G & 0,5 ms